LED防爆燈芯片制造工藝流程中，什么工藝流程對其光學性能有較為關鍵的危害?

一般來說，LED防爆燈外延性生產(chǎn)制造進行以后她的關鍵電性能已定形，芯片制造不對其產(chǎn)甞核天性更改，但在表層的鍍膜、細晶強化全過程中不適當?shù)臉藴蕰е乱恍╇娭饕獏?shù)的欠佳。例如細晶強化溫度稍低或偏高都是會導致歐姆接觸欠佳，歐姆接觸欠佳是芯片制造中導致順向壓力降VF偏高的關鍵緣故。在激光切割后，假如對芯片邊沿開展一些浸蝕加工工藝，對改進芯片的反方向走電會出現(xiàn)不錯的協(xié)助。這是由于用金剛石砂輪刀頭激光切割后，芯片邊沿會殘余較多的碎渣粉末狀，這種假如粘在LED防爆燈芯片的PN結處便會導致走電，乃至會出現(xiàn)穿透狀況。此外，假如芯片表層光刻技術脫離不干凈，可能導致正臉焊線難與空焊等狀況。如果是反面也會導致壓力降偏高。在芯片加工過程中根據(jù)表層鈍化處理、劃為梯形構造等方法能夠提升光照強度。

LED防爆燈芯片為何要分為不一樣規(guī)格?規(guī)格尺寸對LED防爆燈光學性能有什么危害?

LED防爆燈芯片尺寸依據(jù)輸出功率可分成小輸出功率芯片、中輸出功率芯片和大功率芯片。依據(jù)顧客規(guī)定可分成多管級、數(shù)碼科技級、點陣式級及其裝飾設計照明燈具等類型。對于芯片的實際規(guī)格尺寸是依據(jù)不一樣芯片生產(chǎn)商的具體生產(chǎn)制造水準而定，沒有實際的規(guī)定。要是加工工藝通關，芯片小生提升企業(yè)產(chǎn)出率并控制成本，光學性能并不會產(chǎn)生根本變化。芯片的應用電流量事實上與穿過芯片的電流強度相關，芯片小應用電流量小，芯片大應用電流量大，他們的企業(yè)電流強度基礎類似。充分考慮排熱是大電流量下的關鍵難題，因此它的發(fā)亮高效率比小電流量低。另一方面，因為總面積擴大，芯片的體電阻器會減少，因此正指導通工作電壓會有一定的降低。

LED防爆燈大功率芯片一般指多大規(guī)模的芯片?為何?

用以白光燈的LED防爆燈大功率芯片一般在銷售市場上能夠見到的都會40mil上下，說白了的大功率芯片的應用輸出功率一般就是指額定功率在1W之上。因為量子效率一般低于20%絕大多數(shù)電磁能會轉化成能源，因此大功率芯片的排熱很重要，規(guī)定芯片有很大的總面積。

生產(chǎn)制造GaN外延性原材料的芯片加工工藝和生產(chǎn)設備與GaP、GaAs、InGaAlP對比有什么不一樣的規(guī)定?為何?

一般的LED防爆燈綠黃芯片和高亮度四元綠黃芯片的基鋼板都選用GaP、GaAs等化學物質半導體器件，一般都能夠制成N型襯底。選用濕式加工工藝開展光刻技術，比較后用金剛沙輪刀頭切成芯片。GaN原材料的綠藍芯片是用的藍色寶石襯底，因為藍色寶石襯底是絕緣層的，因此不可以做為LED防爆燈的一個極，務必根據(jù)干法刻蝕的加工工藝在外延性表面另外制做P/N2個電級而且也要根據(jù)一些鈍化工藝。因為藍色寶石有點硬，用金剛沙輪刀頭難以劃為芯片。它的加工工藝全過程一般要比GaP、GaAs原材料的LED防爆燈多而繁雜。